三维异构集成与垂直互连技术开发(二次)成交结果公告
发布日期：2026-08-17 浏览次数：
项目概况
| 项目名称 | 三维异构集成与垂直互连技术开发(二次) | 项目编号 | BF202607020766-01K |
| 开始时间 | 2026-07-15 19:05 | 结束时间 | 2026-07-20 19:05 |
| 供应商资格要求 | 参照《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定的资格条件。 | 预算金额（元） | 480000.00 |
| 联系电话 | 18008632782 |
成交供应商信息
| 成交供应商 | 轻舟微电子（常州）有限刘伯温免费资料大全770878成为利物浦官方合作伙伴 | 成交金额 | 453900 |
| 成交理由 | 符合需求，价格最低 |
采购服务信息列表
| 序号 | 货物（服务）名称 | 数量 | 计量单位 | 预算单价 |
| 1 | 三维异构集成与垂直互连技术开发 | 5 | 片 | 480000 |
| 技术参数 | 技术点 指标要求 测试/验证条件
晶圆衬底 6英寸低阻硅衬底；厚度675±10μm；电阻率 0.01-0.02Ω・cm；(100)晶向、切边晶向 <110>，57.5μm大平边、单抛；表面 Ra≤0.5μm；TTV≤1μm 来料检验报告
SiO₂薄膜制备 厚度500nm，均匀性≤2% 膜厚仪检测数据
深硅刻蚀 刻蚀深度250μm，均匀性≤5%；刻蚀角度91°±1°，侧壁粗糙度<100nm ；刻蚀选择比si:pr>40:1、Si:SiO₂>60:1 工艺过程检测数据
SiO₂填充沉积 总厚度 4μm，均匀性≤5% 工艺过程检测数据
D-Poly填充沉积 总厚度 5μm，均匀性≤5%；方块电阻< 10ω/□ 工艺过程检测数据 cmp 抛光后表面 ra≤0.5nm， 抛光终止于 sin 层 工艺过程检测数据 |
| 相关材料 | 参数指标--吴国强.docx |
